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北京大学又一碳纳米管新专利-凯发k8旗舰厅
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- 发布时间:2024-03-08
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【概要描述】 3月1日,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法”,公开号cn117623282a,申请日期为2022年8月。
【概要描述】 3月1日,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法”,公开号cn117623282a,申请日期为2022年8月。
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3月1日,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法”,公开号cn117623282a,申请日期为2022年8月。
专利摘要显示,本发明公开一种单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。其制备方法,包括:s1,对单晶蓝宝石基底表面进行重构;s2,通过离子注入将催化剂前体注入经过重构的单晶蓝宝石基底;及s3,将经过离子注入后的基底放置于竖直喷淋化学气相沉积设备中,使其垂直于竖直喷淋的气流进行气相沉积生长单壁碳纳米管。本发明的单壁碳纳米管水平阵列的生长面积可达一英寸,密度最高可达140根/微米,且表现出超高质量。该制备方法结合了激光划刻技术、离子注入技术以及竖直喷淋设备,实现了蓝宝石单晶基底的表面重构、其上催化剂分布以及气流与基底作用模式的同步优化,从而显著提升了单壁碳纳米管水平阵列的生长尺寸、密度和均匀性,且该方法具有可控、稳定、易放大等特点。
信息来源:carbontech
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